широкополосный апериодический усилитель. Последний выполнен на высокочастотном транзисторе VT1 тина КТЗ101. Нагрузкой усилителя служит эмиттерный повторитель на транзисторе VT2 типа КТ3101. Сигнал, снимаемый с регулятора чувствительности — резистора R4, поступает через конденсатор С6 на диодный детектор, собранный на диоде VD1 типа Д9Б. Высокочастотные составляющие фильтруются RC- фильтрами R5, С7 и R6, С8.
Низкочастотный сигнал поступает на усилитель на микросхеме DA1 типа КР140УД1208. Коэффициент усиления этого усилителя определяется значением резистора R9. При малом уровне входного сигнала усилитель на DA1 имеет большое усиление. По мере увеличения сигнала происходит открывание диода VD2 типа КД522, сопротивление которого изменяется по логарифмическому закону. Это приводит к изменению сопротивления обратной связи также по логарифмическому закону. С выхода усилителя на микросхеме DA1 сигнал поступает на светодиодный индикатор и звуковой генератор.
Звуковой генератор выполнен на транзисторе VT3 типа КТ315 и микросхеме DD1 типа К561ЛА7. Конденсатор С9 заряжается через резистор R11 до напряжения открывания транзистора VT3. Это приводит к смене уровня логической единицы на уровень логического нуля на коллекторе транзистора VT3. При этом катод диода VD3 типа КД522 оказывается подключенным через резистор R18 к минусу источника питания. Конденсатор С9 быстро разряжается через цепь VD3, R18, что ведет за собой закрывание транзистора VT3. Конденсатор С9 снова начинает заряжаться и весь процесс повторяется. Прямоугольные импульсы преобразуются пьезокерамическим преобразователем ZQ1 типа 3П-22 в звуковые. При увеличении напряжения на выходе усилителя DA1 уменьшается время заряда конденсатора С9 до напряжения открывания транзистора VT3, а это, в свою очередь, приводит к увеличению частоты следования импульсов генератора. Таким образом, при увеличении уровня входного сигнала происходит повышение тональности звукового сигнала.
Основой светодиодного индикатора является микросхема DA2 типа КМ1003ПП2. Микросхема КМ1003ПП2 является специализированной и выполняет функцию управления светодиодной шкалой, обеспечивая высвечивание столбика на шкале из 12 светодиодов, которые загораются поочередно при изменении входного напряжения от минимального до максимального значения. Яркость свечения светодиодов поддерживается постоянной. Входной сигнал, через делитель напряжения на резисторах R13, R16, поступает на вход микросхемы DA2 (вывод 17).
На выводы 16 и 3 микросхемы DA2 подаются уровни опорного напряжения, определяющие, соответственно, минимальное (светодиоды не горят) и максимальное (горят все светодиоды) значения входного сигнала. Питается устройство от источника питания напряжением 5,6 В.
Светодиод VD4 типа АЛ307 служит для индикации включения прибора.
Все используемые детали малогабаритные. Детали ФВЧ описаны выше. Микросхема DA1 может быть заменена на КР1407УД2 или любой другой операционный усилитель со своими цепями коррекции. Вместо микросхемы DD1 можно применить К561ЛЕ5. При замене диода VD1 на ГД507 диапазон прибора может быть увеличен до 900.
Микросхема DA2 может быть заменена на A277D.
Работа с прибором аналогична вышеприведенному устройству, чувствительность прибора регулируется резистором R4.
3.2. Защита телефонных аппаратов и линий связи
Одним ил каналов утечки информации, и пожалуй, основным каналом, является телефонный аппарат и линия связи, соединяющая его с АТС.
Для любого специалиста, работающего в области промышленного шпионажа с применением технических средств контроля, представляют наибольший интерес так называемые 'беззаходовые' системы, т. е. комплексы средств, позволяющие получать информацию из интересующих помещений без необходимости физического присутствия в них.
Телефонный аппарат представляет в этом плане множество возможностей. Рассмотрим три случая решения задачи по получению необходимой информации:
1. Телефонный аппарат содержит систему передачи информации, т. е. в его конструкцию целенаправленно внесены изменения или установлена спецаппаратура. Существуют, например, телефонные аппараты с электронными номеронабирателями, которые, по своим конструктивным особенностям, уже имеют канал утечки информации в виде паразитного высокочастотного излучения в широкой полосе частот, промоделированного звуковым сигналом.
2. Используются определенные недостатки конструкций телефонных аппаратов для получения информации.
3. Производится внешнее воздействие на телефонный аппарат, при котором возникает канал утечки.
Первый случай описан подробно в гл. 1. Ниже приводятся схемы защиты телефонных аппаратов и линий связи.
Защита звонковой цепи
Причиной появления канала утечки информации являются электроакустические преобразования. При разговоре в помещении акустические колебания воздействуют на маятник тонка, соединенного с якорем электромагнитного реле. Под воздействием звуковых сигналов якорь совершает микроколебания, что, в свою очередь, вызывает колебания якорных пластин в электромагнитном ноле катушек, следствием чего становится появление микротоков, промодулированных звуком. Амплитуда ЭДС, наводимой в линии, для некоторых типов телефонных аппаратов может достигать нескольких милливольт. Для приема используется низкочастотный усилитель с частотным диапазоном 300-3500 Гц, который подключается к абонентской линии.
Для защиты от такого канала утечки информации используется схема, представленная на рис. 3.6.
Рис 3.6.
Два кремниевых диода VD1 и VD2 включены встречно-параллельно в цепь звонка телефонного аппарата В1. Они образуют зону нечувствительности для микро-ЭДС. Это объясняется тем, что в интервале 0–0,65 В диод обладает большим внутренним сопротивлением (вольт-амперная характеристика диодов представлена на рис. 3.7).
Рис. 3.7.
Поэтому низкочастотные токи, наводимые в схеме аппарата, не пройдут в линию. В то же время звуковой сигнал абонента и напряжение вызова свободно 'проходят' через диоды, так как их амплитуда превышает порог открывания диодов VD1, VD2. Резистор R1 является дополнительным шумящим элементом.
Подобная схема, включенная последовательно в линию связи, подавляет микро-ЭДС катушки на 40– 50 дБ.
Вместо указанных на схеме диодов можно использовать диоды Д226, КД105, КД102.